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水處理領(lǐng)域整體解決方案供應商
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在晶體管、集成電路生產(chǎn)中,純水主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片,水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結(jié)耐壓降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化,水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導致器件性能變壞,水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面,就會引起電路短路或特性變差。集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上,集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上,集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17MΩ.cm,集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ.cm,集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ.cm,集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ.cm。針對多晶硅加工工藝需求和當?shù)厮辞闆r,可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程,純水一號采用國內(nèi)先進設計理念,確保系統(tǒng)設備產(chǎn)水達到標準。純水一號超純水設備流程圖
設備優(yōu)點

目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種,其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進行不同組合搭配衍生而來?,F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊:

設備優(yōu)點
  • 第一種 采用離子交換樹脂

    其優(yōu)點在于初投資少,占用的地方少,但缺點就是需要經(jīng)常進行離子再生,耗費大量酸堿,而且對環(huán)境有一定的破壞。


  • 第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換


    其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高,但離子再生周期相對要長,耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還是有一定的破壞性。




  • 第三種 采用反滲透作預處理
    再配上電去離子(EDI)裝置


    這是目前制取超純水最經(jīng)濟,最環(huán)保用來制取超純水的工藝,不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水,對環(huán)境沒什么破壞性。其缺點在于初投資相對以上兩種方式稍貴一點。



技術(shù)要求

采用膜表面高分子嫁接技術(shù),產(chǎn)水TOC在20PPB以下,更適用電子級超純水系統(tǒng)。 高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率,TOC達標沖洗時間短、先進配套電源技術(shù),能耗更低。

水質(zhì)標準

1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業(yè)用超純水標準》

2、歐盟電子級超純水標準

3、中國電子工業(yè)國家標準

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