電子半導(dǎo)體
電子半導(dǎo)體生產(chǎn)用超純水對(duì)TOC、DO、SIO2、Particulate的控制極其嚴(yán)格，達(dá)到PPb級(jí)，產(chǎn)水水質(zhì)要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。
由于碳化硅具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及高溫穩(wěn)定性，使其在大功率和高溫電子器件的應(yīng)用中具有很重要的作用。因?yàn)楦叩燃?jí)的商業(yè)化器件，需要碳化硅襯底具有無缺陷的表面及超潔凈的表面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光后的晶圓清洗被認(rèn)為是襯底片制備過程中，最重要的一步。許多化學(xué)機(jī)械拋光后的碳化硅晶片表面殘留硅膠體、化學(xué)物質(zhì)以及研磨劑。碳化硅制備面臨許多挑戰(zhàn)主要是高硬度和強(qiáng)化學(xué)惰性。潔凈、光滑、無缺陷的拋光片對(duì)于后續(xù)獲得高質(zhì)量的外延層是很重要的。拋光片最終清洗主要是清除拋光片表面所有的污染物，如微粒、有機(jī)物、無機(jī)物、金屬離子等雜質(zhì)。
碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光結(jié)束后，拋光片表面的斷裂鍵力場(chǎng)很強(qiáng)，極易吸附拋光環(huán)境中的各種污染物，SIC拋光片表面主要沉積污染物一般有顆粒、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和氧化膜。因?yàn)镾IC拋光片的表面SI面會(huì)被有機(jī)物遮蓋，使氧化膜和相關(guān)的沾污難以被去除。
因此，超純水清洗是拋光片制造過程中不可缺少的環(huán)節(jié)。
半導(dǎo)體拋光片外延片超純水可選工藝流程：
工藝流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+2SMB
設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于右邊：
設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
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第一種 采用離子交換樹脂
其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換
其特點(diǎn)為初次投資比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還有一定破壞性。
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第三種 采用反滲透作預(yù)處理
再配上電去離子(EDI)裝置這是目前制取超純水最經(jīng)濟(jì)，最環(huán)保的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒什么破壞性。
技術(shù)要求
半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測(cè)清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測(cè)封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長(zhǎng)用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測(cè)封裝用水。同時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)溶解氧、固體顆粒、二氧化硅、TOC的要求較高，達(dá)到PPB或者PPT級(jí)。
水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)
1、ASTM-D5127-2007《美國(guó)電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》
2、歐盟電子級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)
3、中國(guó)電子工業(yè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11446.1-1997
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